1.Фотоаппаратура
MINOLTA (камеры,обьективы,вспышки,принадлежности) NEW! NIKON (сравнительная таблица зеркальных фотоаппаратов) NEW! PENTAX (камеры,обьективы,вспышки,принадлежности) NEW! обьективы,вспышки и другое оборудование(на foto.ru) обьективы,вспышки и другое оборудование(на photo.dp.ua) Фотоаппараты, обьективы,вспышки и другое оборудование(на foto.ua) 2.Статьи и полезные советы Постановка света при фотосъемке. NEW! Техника освещения при съмке на натуре NEW! Камеру какой фирмы лучше купить для 35мм пленки? (И другие волнующие вопросы...) NEW! Советы по фотосъемке и ответы на некоторые основные вопросы NEW! Советы по макросъемке. NEW! а.Использование светофильтров в пейзажной сьемке. в.Ночная сьемка Техника ночной съемки Советы по ночной фотосъемке. NEW! Особенности съемки зимой 2 части NEW! Домашняя фотостудия (создание, съемка портрета,обнаженной натуры, обработка и публикация) 5 частей. NEW! О "НЮ" и не только... NEW! с.Экспозиция d.Практика сьемки FAQ е.Фотоаппараты FAQ Оптика FAQ f.Рекомендации по использованию фотовспышки Вспышки. FAQ Все о фотопленках. NEW! g.Пленки. FAQ Все о светофильтрах. NEW! h.Светофильтры. FAQ j.Фотоаппарат "ЗЕНИТ". FAQ 3.Особенности съемки и композиции Съемка на море NEW! Съемка пейзажа NEW! Некоторые практические приемы при съемке пейзажей в цвете (3 части) NEW! Фотосъемка с лампами накаливания. NEW! Тональность фотоснимка Создание иллюзии глубины резкости Съемка в условиях низкой освещенности. a.Композиция Экспокорекция. b.Ручная фокусировка c.Почему снимок не резкий. Расчет глубины резкости. NEW! 4.Цифровая фотография 5.Ссылки в Интернете Фото ссылки a.Домашние страницы фотографов Все о фототехнике(инструкции, статьи, схемы для самостоятельного изготовления...) NEW! с.Как самостоятельно изготовить светосинхронизатор,пусковой тросик и много интересного -- |
Президент поздравил Жореса Алферова и наградил орденомПрезидент России Дмитрий Медведев поздравил с 80-летием российского ученого, нобелевского лауреата Жореса Алферова, а также вручил ему орден "За заслуги перед Отечеством" IV степени. "Сердечно поздравляю Вас с днем рождения, это возраст зрелости, и Вы встречаете праздник в прекрасной физической и интеллектуальной форме", — сказал Медведев в понедельник на встрече с Алферовым в Красной гостиной Большого Кремлевского дворца. "Мне приятно Вас поздравить не только как президенту России, но и как гражданину нашей страны. Вы — один из тех людей, с которыми ассоциируются научные достижения нашего государства", — подчеркнул Медведев. "Все, что Вы делали всю жизнь, стало одной из составляющих научного капитала нашей родины и в советский период, и в нынешний период", — отметил глава государства. Он подчеркнул, что и в настоящее время Алферов активно участвует в государственных процессах. "Это очень важно и для нашей страны, и для Вас лично", — сказал Медведев, обращаясь к ученому. Вручая орден, президент отметил, что "это достойная часть наградного списка". "Этот орден еще отсутствует в копилке Ваших орденов", — добавил Медведев. "Теперь я — полный кавалер этого ордена", — сказал Алферов, принимая награду. Он напомнил, что ранее получал ордена за "За заслуги перед Отечеством", III, II и I степеней. "Сегодня перед нашей страной нет более важной задачи, чем возрождение промышленности высоких технологий", — отметил Алферов. По его словам, "это необычайно важное направление и для нашей страны, и для науки". "Важна востребованность научных исследований", — подчеркнул он. Алферов напомнил высказывание одного из английских ученых о том, что "наука вся прикладная, разница только в том, что одни приложения возникают очень быстро, а другие через 50-100 лет". "Дай нам Бог, с Вашей помощью, с помощью правительства реализовать это направление и другие наиболее важные. Тут я готов служить, не покладая рук", — сказал ученый. "Мы на Вас очень рассчитываем", — ответил Медведев. Исследования Алферова заложили основы принципиально новой электроники на основе гетероструктур с очень широким диапазоном применения, известной сегодня как "зонная инженерия". В лаборатории Алферова была разработана промышленная технология создания полупроводников на гетероструктурах. Первый непрерывный лазер на гетеропереходах был создан тоже в России. Эта же лаборатория по праву гордится разработкой и созданием солнечных батарей, успешно примененных в 1986 году на космической станции "Мир": батареи проработали весь срок эксплуатации до 2001 года без заметного снижения мощности. В 2000 году Алферов получил Нобелевскую премию по физике за достижения в электронике совместно с американцами Джеком Килби и Гербертом Кремером. Кремер, как и Алферов, получил награду за разработку полупроводниковых гетероструктур и создание быстрых опто- и микроэлектронных компонентов (Алферов и Кремер получили половину денежной премии), Килби за разработку идеологии и технологии создания микрочипов — вторую половину.
Фирмы-производители фотооборудования и фотоматериалов.
©Shepilov2002 |